En diciembre de 1947, John Bardeen y Walter Brattain demostraron el transistor de punto de contacto en Bell Labs, un dispositivo capaz de amplificar señales sin tubos de vacío. Motivado por este avance, William Shockley concibió el transistor bipolar de juntura (BJT), formalizando su diseño en 1948.
El BJT emplea dos uniones PN formando emisor, base y colector, y se volvió esencial como amplificador y conmutador, catalizando la miniaturización y la era del circuito integrado.
1947 Transistor de punto de contacto
Bardeen y Brattain logran la primera amplificación sólida, abriendo el camino a los semiconductores modernos.
1948 Diseño del BJT
Shockley propone el transistor de juntura, estableciendo el modelo bipolar que dominaría por décadas.
1951 Patentes clave
Se consolidan las patentes del BJT y se acelera su manufactura y adopción industrial.
1956 Premio Nobel
Bardeen, Brattain y Shockley reciben el Nobel de Física por la invención del transistor.